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消息称三星电子 1c nm DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点

文 / 小亚 2026-01-17 23:02:23 来源:亚汇网

此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子HBM4内存便基于1cnmDRAM。DRAMDie的更高良率有助于三星在HBM4上获得更多的利润，进一步提升业绩表现。报道表示，三星电子在1cDRAM上一改近期以良率优先、谨慎推动量产进程的策略，回到了快速进入量产以更积极回应市场动态的传统模式，这有利于从英伟达等重要客户手中赢得订单。TrendForce集邦咨询此前表示，在规格要求提升、现有HBM3E平台需求旺盛的推动下，HBM内存的量产时间点最快将于2026Q1末到来，三星电子、SK海力士、美光仍有时间精进产品良率表现。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。

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