2025-09-28 12:39:02
最引人注目的一点是，拟研发的EUV系统并未复刻ASML设备的架构，而是计划采用一整套完全不同的技术方案：混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的反射镜——这类反射镜可反射11.2纳米波长的光线。与ASMLEUV设备使用锡滴不同，俄罗斯方案选用氙气作为光源材料，可消除损害光掩模的碎屑，从而大幅降低设备维护需求。同时，相较于ASML的深紫外（DUV）设备，该方案通过降低系统复杂度，规避先进制程中所需的高压浸没式液体与多重曝光步骤。亚汇网注意到，该路线图包含三个主要阶段：1、第一阶段（2026-2028年）：研发可支持40纳米制程的光刻机，配备双反射镜物镜，套刻精度达10纳米，曝光场尺寸最大为3×3毫米，晶圆吞吐量超过5片/小时。2、第二阶段（2029-2032年）：推出可支持28纳米制程（具备升级至14纳米的潜力）的扫描光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至5纳米，曝光场尺寸为26×0.5毫米，吞吐量超过50片/小时。3、第三阶段（2033-2036年）：目标实现亚10纳米制程生产，采用六反射镜配置，套刻精度达2纳米，曝光场尺寸最大为26×2毫米，设计吞吐量超过100片/小时。在分辨率方面，这些设备预计可覆盖65纳米至9纳米范围，能够满足2025-2027年间当下及未来众多关键层的制造需求。每一代设备均会提升光学精度与扫描效率，且据推测，其单位成本结构将显著低于ASML的TwinscanNXE与EXE平台。值得注意的是，研发团队声称将极紫外技术应用于成熟制程（trailingnodes）可带来多项意外优势。但他们并未提及使用11.2纳米波长激光器所面临的复杂性，包括特殊的反射镜、专用的反射镜抛光设备、适配的光学器件、定制化光源、专用电源以及光刻胶等。而11.2纳米在极紫外光刻领域属于非行业标准波长。总体而言，这份路线图或许勾勒出了俄罗斯通过规避传统EUV技术限制、实现芯片制造自主化的发展计划。但该计划的可执行性仍不明确，因为其需要实现对整个行业的技术跨越。该系列设备并非以超大规模晶圆厂的最大吞吐量为目标，而是旨在满足小型晶圆厂的高性价比需求。由于无需采用浸没式技术或锡基等离子体，这套俄罗斯光刻系统具备清洁、高效且可扩展的特点，或许还能吸引当前被排除在ASML生态之外的国际客户。若该项目完全落地，有望以显著更低的资本与运营成本，支撑国内外先进芯片的制造与出口。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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