2025-09-05 13:02:09
中微公司此次带来了新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备——CCP电容性高能等离子体刻蚀机PrimoUD-RIE。这一机台基于成熟的PrimoHD-RIE设计架构全面升级而来，拥有六个单反应台反应腔，配备更低频率、更大功率的射频偏压电源，具有更高离子轰击能量，能满足极高深宽比刻蚀对精度和生产效率的严苛要求。PrimoUD-RIE刻蚀机还引入了自研动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、温度可切换多区控温静电吸盘、和主动控温边缘组件等创新技术，改进了晶圆边缘刻蚀良率。▲PrimoUD-RIE中微公司在刻蚀领域还有另一款新品亮相，这就是PrimoMenova12英寸ICP单腔刻蚀设备，其专注于金属刻蚀尤其是铝线铝块刻蚀领域，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造。▲PrimoMenova在ALD原子层沉积方面，中微公司带来了三种不同版本的12英寸原子层沉积设备PreformaUniflash金属栅，包含TiN/TiAl/TaN三个分支，能满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。PreformaUniflash系列产品采用中微公司独创的双反应台设计，系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，助力实现业界领先的生产效率。▲PreformaUniflash金属栅系列而对于EPI外延，中微公司则端出了全球首款双腔减压外延设备PRIMIOEpitaRP。该机台拥有全球最小反应腔体积且可灵活配置多至6个反应腔，能降低消耗品用量、压低生产成本、提升生产效率。▲PRIMIOEpitaRP广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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